供应10N60C进口芯片，一级代理商，仙童正品

特点
?9.**，600V，RDS（ON）=0.73Ω@ VGS= 10 V
?低栅较电荷（典型44 nC的）
?低Crss（典型18 pF）
?**开关
?100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力

描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管
采用飞兆半导体专有的平面条形，
DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对以尽量减少
通态电阻，提供出色的开关性能，
经受住了高能量脉冲雪崩和
换向模式。这些器件非常适用于**
交换式电源供应器，有源功率因数校正，
电子镇流器基于半桥拓扑结构。

符号的参数FQP10N60C FQPF10N60C单位
VDSS漏源电压600 V
ID漏电流 - 连续（TC= 25°C）9.5 9.5*
 - 连续（TC= 100°C）5.7 5.7*
IDM漏电流 - 脉冲（注1）38 38* A
VGSS栅源电压±30 V
EAS单脉冲雪崩能量（注2）700兆焦耳
IAR雪崩电流（注1）9.5 A
EAR重复性雪崩能量（注1）15.6兆焦耳
dv / dt的峰值二极管恢复dv / dt的（注3）4.5 V / ns的
PD功耗（TC= 25°C）15650 W
 - 减额以上25°C1.25 0.4 W /°C
TJ，Tstg工作和存储温度范围-55至+150°C
TL焊接用铅的较大温度，
1/8??案件从5秒
300°C
符号的参数FQP10N60C FQPF10N60C单位
RθJC热阻，结到外壳0.8 2.5°C/ W
RθCS热阻，案例到散热片的典型。 0.5 - °C/ W
RθJA热阻，结到环境62.5 62.5°C/ W

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