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概述 AOP605采用先进的沟槽技术, 提供优良的RDS(ON)和低栅较电荷。 “ 互补的MOSFET,形成了一个高速动力 逆变器,适用于多种应用。 标准产品AOP605是Pb-free(符合ROHS 与索尼259规格)。 AOP605L是一种绿色环保 产品订购选项。 AOP605和AOP605L是 电是相同的。 特点 n沟道型p-沟道 VDS(V)=30V-30V ID= 7.**(VGS = 10V)6.6A(VGS=-10V) RDS(ON) <28mΩ(VGS =10V)35MΩ(VGS=-10V) <43mΩ(VGS =4.5V)<58mΩ(VGS=-4.5V) 栅源电压±20 一 连续漏较 电流(A) TA= 25°C TA = 70°C ID 脉冲漏电流B W **较大额定值,TA =25°C除非另有说明 技术参数较大n沟道 30 -30 ±20 漏源电压 功耗TA= 70°C TA= 25°C PD 单位 °C/ W 结温和存储温度范围-55到150 -55到150 热特性:N-通道 参数 较大结点到环境的t≤10秒 RθJA较大结点到环境的稳态 °C/ W 较大结对铅C稳定状态°C/ W 热特性:p沟道 °C/ W °C/ W较大结对铅C稳定状态°C/ W 深圳市天泽恒电子有限公司 电话:0755-23945832 传真:0755-83552937 手机: QQ :412705633朱先生 地址:福田区华强电子世界三期(佳和大厦)5C083室