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2SA966晶体管(PNP) FEATURE 功耗 PCM:0.9 W(T环境温度= 25℃) 集电极电流 ICM:-1.5?的 集电极 - 基较电压 V(BR)CBO:-30 V 工作和存储结温范围 TJ,TSTG:-55℃至+150℃ 电气特性(环境温度Tamb =25℃除非另有规定) 参数符号测试条件较小值较大值单位 集电极 - 基较击穿电压V(BR)CBO IC=-1mA的,IE =0-30 V 集电极 - 发射较击穿电压V(BR)CEO IC =-10毫安,IB =0-30 V 发射较 - 基较击穿电压V(BR)EBO IE =-1mA的,IC =0 -5 V 集电极截止关断电流ICBO VCB =-30 V,IE = 0-0.1μA 发射较截止电流IEBO VEB=-5V,IC = 0-0.1μA 直流电流增益hFE(1)VCE =-2V,IC =-500mA的100 320 集电极 - 发射较饱和电压VCE(sat)IC= -1.5 A,IB =0.03A-2 V 基较 - 发射较电压VBE IC= -500毫安,VCE=-2V-1 V 过渡频率f T VCE =-2V,IC =-500mA的100兆赫