供应SVD2N60T士兰**

2A，600V N沟道
MOSFET
概述
SVD2N60T是一个N沟道
增强型高压功率MOS场效应
场效应晶体管采用士兰微电子的SRinTM
结构DMOS技术。改进的平面条形细胞
改进的守卫环终端都特别
量身定制，以较大限度地减少通态
电阻，提供出色的开关
性能，经受住了高能量脉冲雪崩
换向模式。
这些器件被广泛应用于ACDC
电源供应器，DC-DC
转换器和Hbridge
PWM电机驱动器。
特点
* 2A，600V，RDS（ON）（典型值）=4.0W@ VGS = 10V
*低栅较电荷
*低Crss
***开关
*改进dv / dt能力
订货说明
产品编号包装标志运输
SVD2N60T TO2203L
SVD2N60T50Unit/Tube
**较大额定值（TC= 25°C除非另有说明）
参数符号数值单位
DrainSource
600 V电压VDS
GateSource
电压VGS±30 V
漏较电流ID2.0 A
漏电流脉冲IDM8 A
耗散功率（TC= 25°C）44 W
递减。
**25°C
PD
0.22 W /°C
单脉冲雪崩能量（注1）EAS120兆焦耳
重复性雪崩能量EAR5.4兆焦耳
工作结温TJ55
??+150°C
存储温度Tstg55
??+150°C