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深圳市天泽恒电子
更低的导通压降(VCESAT) ■关损失包括尾电流 ■降低的CRES/ CIES比 ■包括二极管的开关损耗 能量回收 ■较软的****恢复 反并二极管 ■新一代产品, 更严格的参数DISTRUBUTION 说明 使用较新的高电压技术的基础上 **带布局,意法半导体(ST) 设计一个先进的IGBT,该PowerMESH ?IGBT的,以优异的表演。 后缀“K”标识系列优化的高 变频电机控制应用短路 承受能力。 应用 ■高频率逆变器 ■SMPS和PFC在硬开关 谐振拓扑 ■马达驱动器