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FDD8424H 双N&P沟道PowerTrench?MOSFET N-通道:40V,20A,24mΩP-通道:-40V,-20A,54mΩ 特点 Q1:N-沟道 ??较大RDS(ON)=24mΩ,VGS= 10V,ID =9.0A ??较大RDS(ON)=30mΩ时,在VGS= 4.5V,ID =7.0A Q2:P-通道 ??较大RDS(ON)=54mΩ,VGS=10V,ID=6.** ??较大RDS(ON)=70mΩ的,在VGS=-4.5V,ID=5.6A ??**开关速度 ??符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 概述 这些双N和P沟道增强型功率MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程,已特别定制,以较大限度地减少通态电阻,但维持出色的开关性能。 应用 ??逆变器 ??H-桥 深圳市天泽恒电子有限公司 电话:0755-23945832 传真:0755-83552937 手机: QQ :412705633朱先生 地址:福田区华强电子世界三期(佳和大厦)5C083室